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반도체 기판용 단면 웨이퍼 CMP 연마기

HY-SP910은 PLC 및 터치스크린 제어 시스템을 탑재하여 간편한 설정, 손쉬운 작동 및 안정적인 성능을 제공합니다. 반도체 기판(사파이어, SiC, 실리콘 및 에피택셜 웨이퍼)은 물론 광학 유리 웨이퍼, 석영 결정, 세라믹 웨이퍼, 스테인리스강 가공품 및 광섬유 커넥터 등 얇은 부품에 초정밀 단면 연마를 수행할 수 있습니다.

  • 상표 :

    HYRNUS
  • 품목 번호 :

    HY-SP910
  • 주문량(최소 주문 수량) :

    1 Set
  • 보증 :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • 지불 :

    T/T
  • 리드 타임 :

    7-35 Days
  • 제품 원산지 :

    China
  • 반도체 기판용 단면 웨이퍼 CMP 연마기

     

    제품 소개

    HY-SP910 웨이퍼 CMP 단면 연마기 첨단 기계 구조와 다수의 성숙한 제어 알고리즘을 기반으로 제작되어 탁월한 연마 처리량과 안정적인 장기 작동 성능을 제공합니다. 통합 PLC 및 터치스크린 제어 시스템을 탑재하여 직관적인 조작 인터페이스를 통해 사용자가 파라미터 설정 및 일상적인 작동을 손쉽게 완료할 수 있습니다.

    본 장치는 공압 실린더를 이용한 연마 압력 방식을 채택하고, 전기 공압 비례 밸브를 결합하여 완전 폐쇄 루프 압력 제어를 통해 초고정밀 연마와 전체 연마 공정에서 균일한 압력 출력을 구현합니다. 능동 구동식 상부 캐리어는 모든 스테이션에서 일관된 연마 결과를 보장하며, 연마판과 상부 캐리어 모두에 순환 냉각수를 공급하여 슬러리 효율을 극대화하고 연마판 표면의 열 변형을 억제합니다.

     

    제품 장점

    1. 고효율 및 안정적인 작동: 본 제품은 첨단 기계 구조와 다양한 정교한 제어 방식을 채택한 단면 정밀 연마기로, 높은 연마 효율과 안정적인 작동을 자랑합니다.

    2. 사용자 친화적인 제어 시스템: 본 장비는 PLC와 터치스크린으로 구성된 제어 시스템을 채택하여 장비 매개변수 설정 및 작동이 간편하고 편리하며, 시스템 작동 안정성이 뛰어납니다.

    3. 소프트 스타트/스톱 보호: 메인 모터는 가변 주파수 속도 조절 방식으로 제어되어 메인 기계의 소프트 스타트 및 소프트 스톱을 구현함으로써 장비 작동 충격을 줄이고 공작물 손상을 최소화합니다.

    4. 고정밀 압력 제어: 공작물 연마 압력은 실린더 가압 방식을 채택하고, 전기 비례 밸브를 통해 폐루프 압력 제어를 구현하여 매우 높은 압력 적용 정확도와 안정성을 보장합니다.

    5. 균일한 연마를 위한 능동 구동 방식: 상부 압력판은 능동 구동 방식을 채택하여 각 공정 단계에서 균일한 연마 공정을 보장하는 동시에 제품의 연마율을 유지합니다.

    6. 공정 안정성을 위한 냉각 시스템: 연마판과 상부 압력판 모두 냉각수 기능을 갖추고 있어 연마 슬러리의 효율을 극대화하고 연마판 표면의 변형을 줄입니다.

     

    응용 분야

    이 장비는 얇고 정밀한 가공품에 대해 단면 초정밀 연마를 수행합니다. 주요 가공 대상은 사파이어 기판, 탄화규소 기판, 실리콘 웨이퍼 및 사파이어 에피택셜 웨이퍼를 포함한 반도체 기판입니다. 또한 광학 유리 웨이퍼, 세라믹 웨이퍼, 석영 결정, 스테인리스강 가공품 및 광섬유 커넥터와 같은 광학 및 정밀 금속 부품에도 적용 가능합니다.

     

    제품 구성

     

    silicon wafer polishing

     

    기술적 매개변수

     

    매개변수 이름

    매개변수 값
    모델HY-SP910
    연마 헤드 스윙 범위±5mm
    연마 헤드 회전 속도0~70 rpm
    연마 디스크 사양910mm
    연마 디스크 회전 속도0~80 rpm
    연마액 유량15리터/분
    공작물 디스크 크기360mm
    단일 스테이션 압력20~300kg
    공작물 디스크 회전 속도0~70 rpm
    주 모터 출력/전압11kW / 380V
    처리 크기2~8인치
    장비 스테이션 수4
    연마기 종류수직 회전판 연마
    작동 모드반자동 (수동 적재/하역)
    표면 거칠기 Ra(nm)5나노미터
    총 장비 전력12KW
    총 장비 중량약 3000kg
    전체 크기 (길이x너비x높이)1200 x 1650 x 2250 mm
     
    주요 사양

     

    범주사양
    기계 구조판금표준형 50 x 50 x 5 정사각형 튜브 + 산업용 베이킹 바니시 프레임
    구성 요소표면 산화 처리된 스테인리스강 304 / AL 6061
    작업대맞춤 제작 (핵심 특허 보유)
    주 모터테코
    감속기지스 / 샨타
    전기 제어 시스템PLC델타 / 파나소닉 / 미쓰비시
    터치스크린터치씽크 / 웨인텍 / 어드밴텍
    전원 보호누전 차단기 (민웰/슈나이더)
    DC 전원 공급 장치스위칭 전원 공급 장치 (Mean Well / Schneider)
    공압 시스템에어 실린더SMC / CKD / FESTO
    압력 제어SMC / CKD / FESTO
    압력 조절SMC / CKD / FESTO
    압력 표시SMC / CKD / FESTO
    솔레노이드 밸브SMC / CKD / FESTO
     

    제품 상세 정보

     


    chemical mechanical polishing machine

       

       

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    문의하기 :allen@hyrnus.com