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반도체 칩용 600W 출력 조절 가능 디지털 저온 직접 분사 플라즈마 세척기

HY-DD600은 칩, FPC 플렉시블 회로, 소형 BGA 기판 등 미세하고 정밀한 부품에 최적화된 좁고 작은 노즐 디자인(유효 폭 2~6mm)을 채택했습니다. 무전위 저온 플라즈마 제트는 초박형 PI/ITO 소재의 열 손상 위험을 제거합니다. 컴팩트한 건은 좁은 틈새와 복잡한 미세 구조에도 적합하여 반도체 패키징 및 카메라 모듈 전처리용 소형 자동 접합 및 분배 라인에 완벽하게 적합합니다.

  • 상표 :

    HYRNUS
  • 품목 번호 :

    HY-DD600
  • 주문량(최소 주문 수량) :

    1 Set
  • 보증 :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • 지불 :

    T/T
  • 리드 타임 :

    7-35 Days
  • 제품 원산지 :

    China
  • 반도체 칩용 600W 출력 조절 가능 디지털 저온 직접 분사 플라즈마 세척기

    제품 소개

    HY-DD600 디지털 저온 직접 분사 플라즈마 세척기 완전 디지털 지능형 제어 방식과 2~6mm의 유효 처리 폭을 가진 좁은 노즐을 채택하여 칩, FPC 및 마이크로 BGA 기판을 포함한 초소형 정밀 부품에 적합하게 설계되었습니다. 중성 무전위 저온 플라즈마 제트는 열 방출이 적어 초박형 PI 및 ITO 박막에 열 손상을 방지하며, 컴팩트한 건으로 미세한 틈새와 복잡한 미세 구조에도 접근할 수 있습니다.

    대기압 하에서 작동하는 이 장비는 가공물에 손상을 주지 않고 정밀한 세척, 표면 활성화 및 미세 에칭을 제공합니다. 완전 디지털 출력 조절 기능을 갖추고 있어 반도체 패키징 및 카메라 모듈 전처리용 소형 본딩 및 디스펜싱 라인에 완벽하게 적합하며, 본딩, 인쇄 및 디스펜싱 공정에서 발생하는 접착 불량, 박리 및 벗겨짐 문제를 해결합니다.

    제품 특징

    1. 군사 표준 하드웨어는 -25°C~50°C에서 안정적인 작동을 지원하며, MIL-HDBK-217F(25°C)에 따라 MTBF는 190,000시간 이상입니다.

    2. 실시간 모니터링을 위한 완전 디지털 제어 및 디스플레이, 그리고 뛰어난 노이즈 내성.

    3. TI 소프트 스위치 회로와 PFC 보정 기능으로 효율이 10% 이상 향상되었으며, 응답 속도는 0.1초 미만이고 뛰어난 간섭 방지 기능을 제공합니다.

    4. ST ARM 칩은 간편한 HMI와 원격 디버깅 기능을 제공합니다. 자체 개발 프로그램은 자동 전력 매칭을 통해 안정적인 출력을 구현합니다.

    5. RS-485 및 I/O 포트는 다중 데이터 원격 모니터링을 지원합니다.

    6. 실시간 모니터링 항목 6가지: 공기압, 메인보드 온도, 변압기 아크 전압, 1차 피크 전류, 주 전류, 건 회전 속도.

    7. 10개 이상의 오류 경고 기능으로 진단 시간을 80% 이상 단축합니다. 원클릭으로 제트, 회전식 및 선형 스프레이 헤드를 전환할 수 있습니다.

    8. 완벽한 안전 보호 기능: 과열, 과부하, 단락/개방 회로, 누전 및 오작동 보호.

    제품 적용

    이 장비는 정밀한 곡면 및 불규칙한 형상의 가공물을 처리하여 표면 세척, 분자 활성화 및 미세 에칭을 수행합니다. 접착 불량, 접착제 박리 및 잉크 벗겨짐과 같은 일반적인 생산 문제를 완벽하게 해결합니다.

    이 장비는 반도체 패키징, 3C 전자제품, 터치 패널, LED 캡슐화, 자동차 부품, 신에너지 리튬 배터리, 플라스틱, 금속 및 유리 소재 등 다양한 분야에서 필수적인 전처리 장비로 사용됩니다.

    장비 구조

    개방형 직접 분사 플라즈마 표면 처리 시스템은 전원 공급 장치, 직접 분사 플라즈마 스프레이 건 및 제어 모듈의 세 가지 핵심 부분으로 구성됩니다.

    1. 발전기

    이 장비는 자동 전력 매칭 기능을 지원하여 기압 변동에 영향을 받지 않고 안정적이고 정밀한 출력을 제공합니다. 작업자는 시료의 실제 작업 상태에 따라 모든 작동 매개변수를 조정하여 최적의 처리 성능을 얻을 수 있습니다.

    2.직접 분사 플라즈마 건

    이 장비는 미세하고 복잡한 형상의 가공물에 적합하게 설계되었으며, 2mm에서 6mm까지의 가공 폭을 제공합니다. 기존 생산 라인에 통합하여 완전 자동 인라인 공정을 구현하고 인건비를 절감할 수 있습니다.

    3. 제어 시스템

    전원 공급 장치 본체 내부에 장착된 이 모듈은 대기압 플라즈마 세척기의 전체 작동을 제어하고 시스템 전체의 안전 보호 기능을 제공합니다.

    플라즈마 발생기 크기

    본체 외형 치수 도면

    plasma treatment surface modification

     

    플라즈마 건 크기

    플라즈마 건의 개략도

    Atmospheric plasma cleaning

    기술 사양: 대기압 플라즈마 발생기 본체

    1. 대기 플라즈마 발생기

    (1) 주 장치 매개변수

    매개변수
    모델HY-DD600
    전체 크기491*200*332mm (길이 * 너비 * 높이)
    무게10kg
    입력 전원 공급 장치AC 220V
    전력 주파수25kHz
    플라즈마 출력 전력0~600W, 조절 및 표시 가능
    제어 모드RS485 / 입출력 제어 / 수동
    보호 및 경보 기능회전 속도, 온도, 전압, 기압, 과부하, 누전, 전력 불일치, 단락, 개방 회로, 과전류 보호
    감지 기능기압 감지, 전력 감지, 회전 감지, 출력 전력 감지, 메인보드 온도 감지, 변압기 1차측 피크 전류 감지

     

    (2) 대기압 직접 분사 플라즈마 건 사양

    매개변수
    총기 차원255.5mm * 50mm
    노즐 크기표준 2mm, 4mm, 6mm
    플라즈마 처리 높이3~20mm
    효과적인 플라즈마 치료 폭1~8mm
    공기압 범위표준 압력은 0.2 MPa이며, 0.08~0.25 MPa 범위에서 조절 가능합니다.

     

    2. 공장 설치 요구사항

    명세서
    전원 공급 요구 사항단상 AC 220V, 10A; 접지 저항 4Ω 미만
    순정 배기 시스템유량: 5m³/min; 재질: 내식성 재질
    공장 압축 공기 요구 사항파이프 직경: 8mm
    파이프 재질: PU 튜브
    압력: 0.4–0.6MPa
    대기질 기준:
    고체 입자 직경 ≤0.1μm,
    오일 함량 ≤0.01mg/m³,
    이슬점 ≤ -40°C
    3. 일반 사양
    세부
    위험 표시고전압 경고 라벨
    운영 환경온도: 15~35°C
    습도: 30~80%
    기타 주의사항작업 구역에는 가연성 가스, 부식성 가스, 폭발성 또는 반응성 분진이 없어야 합니다.

     

    제품 상세 정보

      •  

    Low-Temperature Direct Spray Plasma Cleaner
    HY-DD600 대기압 플라즈마 세척기를 자동화 생산 라인에 설치할 수 있습니까?

    네. RS485 및 I/O 제어를 지원하며 0~600W까지 디지털 방식으로 전력을 조절할 수 있습니다. 이 소형 직분사 건은 분배, 포장 및 코팅 자동 조립 라인에 원활하게 통합될 수 있습니다.

    HY-DD600 저온 플라즈마 제트가 민감한 칩과 PI/ITO 박막에 손상을 줄까요?

    아니요. 이 플라즈마 클리너는 무전압 설계로 열 발생량이 적어 열로 인한 화상 위험이 없으며, 정밀 반도체 및 FPC 기판 전처리 작업에 매우 적합합니다.

     

     

     

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문의하기 :allen@hyrnus.com