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단단하고 취성이 강한 반도체 소재용 웨이퍼 박막화 장비

HY-WT9230은 최대 12인치 크기의 초경질 취성 반도체 소재 가공을 위해 개발되었습니다. 이중 공기 베어링 스핀들과 고정밀 연삭 Z축을 탑재하여 고효율 및 손상 없는 완전 자동 미러 박막 가공을 지원합니다. 다공성 진공 척과 초정밀 이송 제어 기능을 통해 반도체 웨이퍼 박막 가공 공정에서 탁월한 평탄도와 두께 균일성을 보장합니다.

  • 상표 :

    HYRNUS
  • 품목 번호 :

    HY-WT9230
  • 주문량(최소 주문 수량) :

    1 Set
  • 보증 :

    One-Year Warranty and Lifetime Maintenance
  • 지불 :

    T/T
  • 리드 타임 :

    7-35 Days
  • 제품 원산지 :

    China
  • 단단하고 취성이 강한 반도체 소재용 웨이퍼 박막화 장비

     

    제품 소개

    HY-WT9230 웨이퍼 박막기이 장비는 최대 직경 12인치에 이르는 다양한 초경질 취성 반도체 소재에 적합합니다. 이중 공기 베어링 스핀들과 고정밀 연삭 Z축을 탑재하여 높은 효율성, 공작물 손상 제로, 탁월한 두께 균일성을 특징으로 하는 완전 자동 미러 박막 가공을 수행합니다.

    이 장비는 웨이퍼를 안정적으로 고정하기 위해 다공성 세라믹 진공 척을 채택했습니다. 최소 이송량 0.1μm, 연삭 후 TTV 3.0μm 미만, 8000# 연삭 휠을 사용한 정밀 연삭 후 표면 조도 Ra<10nm를 달성합니다.

     

    기계 구조도

     

    Automatic Wafer Back Grinding

     

    기계 작동 과정

     

    단계작업 단계
    1웨이퍼를 세라믹 척에 수동으로 올려놓으면 자동 흡착이 진행됩니다.
    2이송 메커니즘은 공작물 스핀들을 연삭 스테이션으로 이동시킵니다.
    3연삭 장치는 웨이퍼를 필요한 두께로 자동 연삭합니다.
    4이송 메커니즘은 접지된 웨이퍼를 적재 및 하역 스테이션으로 운반합니다.
    5처리된 웨이퍼를 수동으로 꺼냅니다.

     

    명세서

     

    매개변수
    공작물 크기 범위최대 가공 가능 크기: 직경 300mm
    연삭 휠 공기 베어링 스핀들수량: 1
    스핀들 출력: 11.0KW
    스핀들 속도: 1000~4000r/min
    공작물 공기 베어링 스핀들수량: 1
    스핀들 속도: 10~300r/min
    Z축 연삭이동 거리: 120mm
    연삭 이송 속도: 0.0001~0.08mm/s
    최소 이송량 증가: 0.1μm
    클램핑 방식다공성 진공 척
    TTV 후연삭3.0μm
    연삭 후 웨이퍼 간 두께 편차±3μm
    정밀 연삭 후 표면 거칠기Ra10nm (8000# 연삭 휠)
     

    메인 프레임

     

    아니요.사양
    1액자하부 프레임: 주철 (표준 구성)
    상단 프레임: 30×60 알루미늄 프로파일
    2덮개판냉간압연 강판에 RAL9003 색상의 플라스틱 스프레이 코팅을 적용한 표준 구성
    3구조 부품크롬 도금 처리된 45# 강철, 양극 산화 처리된 알루미늄 합금 및 스테인리스강
    4전원 공급 장치3상 380V, 50Hz
    5공기 공급원≥0.5 MPa (변동) 0.03 MPa), 150 L/min
    6수원지압력: 0.2–0.3 MPa
    유량: 20리터/분
    온도: 주변 온도 +2 (변동 ±1))
    7전력 소비량예열: 4kW; 분쇄: 8kW

     

    제품 상세 정보

      •  

    Automatic Wafer Back Grinding Machine

      Wafer Grinder for Semiconductor Processing

       

       

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    문의하기 :allen@hyrnus.com