에폭시 도포 및 칩-웨이퍼 다이 본딩 장비

제품 소개

HY-DB300완전 자동 분배 및 다이 본딩 기계 이 시스템은 정밀 디스펜싱, 칩 배치 및 다이 본딩을 하나의 자동화 플랫폼에 통합하여 첨단 반도체 패키징을 지원합니다. 멀티칩 및 칩-투-웨이퍼 애플리케이션에 맞게 설계된 이 시스템은 최대 8인치 웨이퍼와 0.2 × 0.2 mm에서 15 × 15 mm까지의 칩 크기를 지원합니다. 웨이퍼 매핑, 이중 확대 비전, 실시간 중심 보정 및 다양한 PR 인식 방식을 결합하여 3σ에서 ±3 μm의 위치 정확도를 달성합니다. 또한 유연한 멀티 레퍼런스 본딩, ±1 μm 정확도의 접촉 높이 측정 및 최대 5 mm의 3D 칩 스태킹을 지원합니다. 본딩력은 15g에서 500g까지 ±2g의 제어 정확도로 조절 가능합니다. 최대 1,200 UPH의 픽앤플레이스 용량과 옵션으로 Class 100 클린룸 호환성을 갖춘 HY-DB300은 하이브리드 회로, MCM, 광전자 장치 및 기타 고정밀 전자 어셈블리에 적합합니다.

장비 성능

애플리케이션

*멀티칩 모듈

*웨이퍼 레벨 어셈블리

*3D 칩 스태킹

*하이브리드 회로

*고정밀 광전자공학

 

기술 사양

아니요.	매개변수	사양
1.	힘 제어 정확도	±2g
2.	위치 정확도	±3 μm @ 3σ
3.	각도 정확도	±0.15° @ 3σ
4.	높이 측정 정확도	±1 μm
5.	웨이퍼 크기	8인치 (4인치 및 6인치와 호환 가능)
6.	칩 크기	최소 0.2mm × 0.2mm, 최대 15mm × 15mm
7.	웨이퍼 링/자석판 크기	2인치
8.	웨이퍼 링/자석판 수량	20개 유닛 (30개 유닛까지 확장 가능)
9.	여행 범위	X축 360mm, Y축 657mm, Z축 300mm
10.	입력 전압	220V ± 10% @ 50/60Hz
11.	정격 출력	1kW
12.	설치 공간(가로×세로×높이)	1300mm × 1570mm × 1900mm
13.	분배 밸브	우웨이 정밀 공압 제어 밸브 SUPER-ICMIII
14.	노즐 개수	12 (키 측정 포함)
15.	키 측정 방법	연락처 유형
16.	접착제 종류	에폭시
17.	주사기 크기	3cc, 5cc, 10cc
18.	최소 투약 바늘 직경	직경 0.25mm
19.	결합력	15~500g
20.	UPH	1200 (픽앤플레이스 방식만 해당)
21.	운영 체제	윈도우
22.	압축 공기 필요량	0.4~0.6 MPa
23.	진공 라인 압력	-85kPa 이하
24.	순중량	1.35톤