첨단 반도체 패키징을 위한 고속·고정밀 초박형 다이 본더

HY-DP200 다이 본딩기 이 시스템은 에폭시 본딩에서 시간당 6,000개, DAF 본딩에서 시간당 3,500개의 처리량을 제공하며, 본딩 정확도는 ±10µm(X/Y) 및 ±0.1°(θ), 에폭시 본딩 정확도는 ±20µm(X/Y) 및 ±1.0°(θ)입니다. 0.5mm에서 20mm까지의 다이 크기를 지원하고, 자동 세타 정렬 및 자동 확장 기능을 통해 8인치 및 12인치 웨이퍼를 처리하며, 최대 300mm 길이의 기판을 지원합니다. 500만 화소 비전 카메라(2048 × 2048 픽셀)와 256단계 회색조 패턴 인식 기능을 탑재하여 20 × 20mm FOV에서 ±4픽셀의 위치 정확도와 ±0.01°의 각도 정확도를 달성합니다. 본딩 헤드는 0.5N에서 30N(옵션)까지의 본딩력을 제공하며, 로드셀 자동 교정, 사전/사후 비전 검사 및 Z축 자동 교정 기능을 갖추고 있습니다. AC 200–240V ±10% 단상 50/60Hz에서 작동하며 소비 전력은 약 2.2kW입니다. 5kgf/cm² 이상의 압축 공기와 -750mmHg 이하의 진공이 필요합니다. 크기는 2200mm × 1460mm × 1800mm(FFU 포함)이고 무게는 약 2300kg인 HY-DP200은 Class 1000 청정 환경에서 120분의 MTBA와 168시간의 MTBF를 달성하여 높은 신뢰성을 제공하므로 대량 생산에서 정밀 금형 접합에 이상적인 솔루션입니다.

주요 기술 사양

HY-DP200 시리즈 사양
시스템 생산성	UPH
	DAF: 시간당 3.5천 UPH, 에폭시: 시간당 6천 UPH
애플리케이션 패키지		IC, LSI, BGA, CSP, QFN, NAND 플래시, 모바일 DRAM, eMMC, SiP, 소형 다이
시스템 기능	에폭시 접착 정확도	X/Y: ±20마이크로미터, θ: ±1.0°
	채권 정확도	X/Y: ±10마이크로미터, θ: ±0.1°
	MTBA	120분
	MTBF	168시간
	클린 클래스	1000 클래스
	제어	PC 기반
	결합 방식	에폭시 페이스트 및 DAF
자재 취급 능력	다이 사이즈	0.5 - 20 mm
	기질	길이: 100~300mm; 너비: 50~100mm
	잡지	길이: 110~320mm; 너비: 40~110mm; 높이: 100~190mm
웨이퍼 시스템	웨이퍼 핸들링	8인치, 12인치
	자동 세타 정렬	360° 회전
	자동 확장	10mm
본드 헤드	본드 포스	0.5 - 5N ±15%, 5 - 30N ±5% (최대 30N: 선택 사항)
	본드 헤드 축	XYZ-세타 축(단일)
측정 및 검사 시스템	특징	로드셀 리드백의 강제 자동 교정, 비전 검사 전/후 Z 레벨 자동 교정
패턴 인식 시스템	PR 시스템	256단계 회색조
	카메라	5 메가 비전 카메라 (2048 × 2048)
	시야각	20 × 20mm
	위치 정확도	±4픽셀
	각도 정확도	±0.01°
전기적 매개변수	전압	교류 200~240V ±10%
	빈도	단상 50/60Hz
	압축 공기	5kgf/cm 이상²
	진공	-750 mmHg 이하
	전력 소비량	약 2.2kW
크기/무게 (추정치)	치수(W) × D × H)	2200 × 1460 × 1800mm (FFU 115H 포함)
	순중량	약 2300kg

제품 상세 정보